6月13日，在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上，三星向全球展示了其在半导体芯片领域的雄心壮志。该公司公布了最新的半导体芯片工艺路线图，其中明确提出了在2025年实现2nm芯片量产，以及在2027年达到1.4nm芯片量产的目标。这一路线图不仅彰显了三星在芯片制造领域的深厚实力，也预示着未来芯片技术将迎来更为激进的发展阶段。
据悉，三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用，它采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。
值得注意的是，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。
值得注意的是，在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率。
