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谷歌Tensor G5芯片采用台积电3nm制程,成功进入流片阶段

7月1日消息,根据台媒《工商时报》的近日报道,谷歌即将推出的明年旗舰智能手机所搭载的Tensor G5芯片预计将基于台积电的3nm制程技术,并且该芯片已经成功进入流片阶段。这一进展意味着谷歌在智能手机芯片领域的研发实力再次得到了显著提升,同时也展示了台积电在半导体制造领域的领先地位。

谷歌Tensor G5芯片采用台积电3nm制程,成功进入流片阶段

▲ 谷歌 Tensor SoC

流片是芯片正式量产前的关键阶段,用小规模的芯片试产检验芯片设计是否正确。对于首次完全自研手机 SoC 的谷歌而言,如果顺利通过流片,那离 Tensor G5 的成功就近了一大步。

Tensor G5 的全自研,将意味着谷歌可完成对 Pixel 设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控,有助于实现更深度的软硬件整合。

最终,谷歌能更快将 AI 应用部署在自家设备上,打造差异化产品,从而在竞争激烈的智能手机市场中脱颖而出。

谷歌Tensor G5芯片采用台积电3nm制程,成功进入流片阶段

▲ 谷歌 Pixel 8a 手机

根据此前报道,谷歌 Tensor G5 芯片代号 Laguna Beach“拉古纳海滩”,将通过台积电 InFo_PoP 晶圆级扇出封装技术实现 SoC 和 DRAM 的堆叠,支持 16GB 以上内存。

谷歌Tensor G5芯片采用台积电3nm制程,成功进入流片阶段

▲ 台积电 InFo_PoP 工艺示意图

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