5 月 31 日，三星电子在最近的“AI-PIM研讨会”上宣布了一个令人振奋的消息：其8nm版本的eMRAM内存开发已经基本完成，并且正按计划逐步推进制程升级。这一进展不仅标志着三星电子在内存技术领域的又一次重大突破，也预示着未来存储技术的全新发展方向。
eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术，与传统的DRAM内存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现更高的能效。
此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。
三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力，并已开始向智能手表等终端产品供货。
根据此前报道，三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM，并在2026年实现8nm eMRAM的量产。
现在，随着8nm eMRAM开发的基本完成，公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。
同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已达到150~160℃，完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。
