6月18日消息，据Etnews最新报道，三星电子正酝酿着一场重要的技术升级计划。该公司正积极考虑将其位于美国得克萨斯州泰勒工厂的工艺制程从当前的4纳米技术提升至更为先进的2纳米技术，以进一步巩固并加强其在全球半导体市场的竞争地位。
▲ 三星电子泰勒工厂建设工地（图源：三星电子）
三星电子泰勒工厂投资于 2021 年，次年开始建设，计划于 2024 年底开始分阶段运营。三星电子 DS 部门前负责人 Lee Bong-hyun 曾表示，“到 2024 年底，我们将开始从这里出货 4 纳米产品”。
相对地，英特尔计划今年在亚利桑那州和俄亥俄州工厂量产 Intel 20A 和 18A 工艺。此外，台积电正在美国建设三座晶圆厂，计划 2025 年上半年投产 4nm 制程，2028 年投产 2/3nm 制程，2030 年投产 2nm 以下制程。
在 4 月举行的第一季度业绩发布会上，三星电子表示“我们正准备根据客户订单分阶段启动美国泰勒工厂的运营工作，预计将于 2026 年实现首次量产。”
得益于泰勒工厂，三星电子能够从美国政府获得 64 亿美元（备注：当前约 464.98 亿元人民币）的补贴，到 2030 年总投资预计将超过 400 亿美元（当前约 2906.15 亿元人民币）。对于泰勒工厂的工艺转变是否会影响投资，我们还需拭目以待。
