6月20日消息，美光公司正积极扩建全球多个生产基地的HBM（高带宽内存）内存产线，旨在从处理器厂商手中抢夺更多利润丰厚的订单。据日经亚洲报道，美光已经在全球范围内启动了扩建计划，以应对市场对高性能计算内存需求的不断增长。
美光表示，其目标是到 2025 年将在 HBM 领域市场的市场份额快速提升至约 20%，看齐其在 DRAM 行业整体营收中的份额。
作为参考，根据分析机构 TrendForce 集邦咨询今年 3 月份的数据，美光去年 HBM 内存晶圆的产能仅占到市场整体的约 3%。
根据掌握到的情况，美光目前最大的 HBM 内存生产基地位于台湾地区台中市，其正在台中厂区增加产能。
消息人士透露，美光目前正在其位于美国爱达荷州博伊西的总部扩建与 HBM 相关的研发生产设施，包括技术验证产线和量产线。
此外，美光还考虑首次在马来西亚建设 HBM 生产能力。美光目前在马来西亚建设有芯片测试和组装设施，可能的产能建设预计也将集中在后端工艺部分。
摩根士丹利的数据显示，AI 计算芯片巨头英伟达同样是 HBM 内存的最大买家，今年将购入全球 HBM 产能的约 48%。
美光已于今年 2 月宣布其 8Hi 24GB HBM3E 内存进入量产阶段，向英伟达 H200 芯片供货。美光宣称该内存功耗相对竞品降低了 30%，有助于降低数据中心运营成本。
