6月28日消息，美光在最新发布的业绩演示文稿中详细披露了其在全球范围内的产能扩展计划。公司明确表示，位于美国爱达荷州博伊西总部的全新DRAM内存晶圆厂，以及纽约州克莱的新建晶圆厂，将分别于2027和2028财年正式投入运营。
译文：
爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。
原文：
This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New York construction capex is not expected to contribute to bit supply growth until fiscal 2028 or later.
美光的财年起始于上一个日历年 9 月，截至同名日历年 8 月。
换句话说，爱达荷州博伊西新晶圆厂将于 2026 年 9 月~2027 年 8 月投运，而位于纽约州克莱的首座晶圆厂将于 2027 年 9 月~2028 年 8 月进入正式生产阶段。
美光同时表示，将对这些晶圆厂未来设备支出的时间线进行管理，使供应增长与预期需求增长保持一致。
▲ 美光纽约州克莱晶圆厂渲染图
美光此前宣布，将在 2030 年前斥资 500 亿美元（备注：当前约 3642.33 亿元人民币）在博伊西和克莱分别建设一座和两座先进 DRAM 内存晶圆厂，未来还将投资 750 亿美元在克莱建设另外两座内存晶圆厂。
根据初步协议，美国联邦政府将给予美光至多 61.4 亿美元直接补贴和 75 亿美元贷款支持，纽约州政府也将提供价值 55 亿美元的激励措施。
美光目前尚未启动纽约州克莱晶圆厂的建设。彭博社早前报道称，该项目用地目前生活着两种濒临灭绝的蝙蝠，美光需要等到蝙蝠进入冬眠期后才能砍伐蝙蝠夏季栖息地的树木。
美光就此向英媒 The Register 回应称，蝙蝠栖息地等环境审批问题早已被纳入其建设时间表，目标 2025 年初开始项目建设。
