5月31日消息，三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM 研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nm eMRAM的技术开发已基本完成。这一进展标志着公司在存储器技术领域的又一重要突破，为未来的电子产品提供了更加高效、可靠的内存解决方案。
作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；
同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持对写入速率要求更高的应用。
▲ eMRAM 存储原理
eMRAM 即面向嵌入式领域的 MRAM。三星电子目前具有 28nm eMRAM 的生产能力，已在向智能手表等终端产品供货。
根据2023 年的报道，三星电子当时表示计划在 2024 年量产 14nm eMRAM；2026 年量产 8nm 的 eMRAM；到 2027 年将更进一步，实现 5nm 制程 eMRAM 量产。
目前三星电子已完成 14nm eMRAM 的开发，8nm eMRAM 开发也基本完成，仍计划 2027 年推出 5nm eMRAM。
三星电子认为未来车用领域对 eMRAM 的需求将持续增长，其产品目前耐温能力已达 150~160℃，足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。
